本發(fā)明能夠提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法、鍺光電探測(cè)器的制備方法。該器件形成方法包括:提供半導(dǎo)體襯底,在該半導(dǎo)體襯底上形成二氧化硅層;刻蝕二氧化硅層,以在二氧化硅層上形成凹槽,并露出半導(dǎo)體襯底;在凹槽內(nèi)通過(guò)外延生長(zhǎng)的方式形成金屬鍺層,對(duì)金屬鍺層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化處理,以去掉凸出于二氧化硅層上的金屬鍺;通過(guò)負(fù)性光刻膠腐蝕掉化學(xué)機(jī)械平坦化處理過(guò)程中在金屬鍺層上表面形成的損傷層。本發(fā)明創(chuàng)新地在對(duì)金屬鍺層進(jìn)行CMP工序后在鍺層上旋涂負(fù)性光刻膠,利用負(fù)性光刻膠的輕微腐蝕性較好地腐蝕掉拋光后的鍺損傷層,從而極大地提高金屬鍺層質(zhì)量,進(jìn)而明顯提高了器件的性能,而且具有工藝上易實(shí)現(xiàn)且投入成本低等優(yōu)點(diǎn)。
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“半導(dǎo)體器件的形成方法、鍺光電探測(cè)器的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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