本發(fā)明公開了一種紅外雙色碲鎘汞探測器臺面鈍化方法,包括:步驟A:對雙色碲鎘汞探測器的
芯片臺面裸露的碲鎘汞進(jìn)行腐蝕,消除物理損傷薄膜,去除表面硫化鋅膜層;步驟B:利用磁控濺射設(shè)備對經(jīng)過步驟A處理后的芯片臺面進(jìn)行鈍化處理;本發(fā)明在碲鎘汞平面單色鈍化工藝的基礎(chǔ)上,選擇磁控濺射設(shè)備,結(jié)合優(yōu)化的臺面濕化學(xué)預(yù)處理工藝,對濺射壓力和靶間距離等關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)優(yōu)化,最終獲得良好的表側(cè)面鈍化效果。
聲明:
“紅外雙色碲鎘汞探測器臺面鈍化方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)