本發(fā)明公布了一種單晶硅太陽(yáng)電池金字塔絨面上PN結(jié)雜質(zhì)濃度分布的測(cè)量方法。本發(fā)明的測(cè)量方法采用了
電化學(xué)方法結(jié)合稱重法對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池絨面上PN結(jié)的雜質(zhì)濃度分布進(jìn)行測(cè)量和計(jì)算。室溫下通過(guò)電化學(xué)方法生長(zhǎng)氧化層、HF酸腐蝕的重復(fù)過(guò)程,結(jié)合每次薄層電阻變化,以及差重計(jì)算每次氧化腐蝕深度,經(jīng)過(guò)系列計(jì)算將每次薄層電阻換算成雜質(zhì)濃度,從而獲得擴(kuò)散層縱向雜質(zhì)分布的真實(shí)情況,得到雜質(zhì)濃度分布曲線。本發(fā)明的測(cè)量是評(píng)價(jià)擴(kuò)散層質(zhì)量和選擇控制擴(kuò)散條件必不可少的依據(jù),對(duì)于優(yōu)化和控制擴(kuò)散工藝,提高太陽(yáng)電池效率具有重大意義。
聲明:
“單晶硅太陽(yáng)電池絨面上PN結(jié)雜質(zhì)濃度分布的測(cè)量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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