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臺面型銦鎵砷探測器制備方法

1049 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 07:27:45

本發(fā)明公開了一種臺面型銦鎵砷探測器制備方法,包括將蒸鍍P-InP接觸電極以及高溫快速退火過程置于氮化硅鈍化之前,其優(yōu)點在于:避免了在高溫快速退火過程中,由于材料表面污染或者殘留顆粒而導致的氮化硅鈍化膜損壞,提高了探測器制備的成品率,特別適用于長線列和面陣探測器研制,同時消除了高溫快速退火過程對鈍化膜與材料表面接觸狀態(tài)的影響;另一方面,在離子刻蝕后引入熱處理的工藝,有效地減小材料表面由于刻蝕離子所引入的表面固定電荷,并采用化學腐蝕、硫化的方法去除表面氧化物和減少離子刻蝕后表面的晶格損傷、懸掛鍵,降低表面態(tài)密度,有效減小表面復合暗電流。

聲明：

“臺面型銦鎵砷探測器制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)