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變摻雜變組分的AlGaNGaN中子探測器

765 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 07:27:10

本發(fā)明公開一種變摻雜變組分AlGaN/GaN中子探測器，為PIN結構，以自支撐n型GaN作為襯底，在襯底上利用金屬有機物化學氣相沉積技術順序生長變摻雜變組分n型AlGaN層、未摻雜GaN層和p型GaN層；在p型GaN和n型襯底上沉積金屬并做退火處理形成歐姆接觸電極；在p型GaN層上沉積10BC4或6LiF作為中子轉換層。AlGaN/GaN變摻雜變組分結構內部具有內建電場，當中子照射到10BC4或6LiF后發(fā)生核反應產(chǎn)生α粒子，α粒子電離AlGaN/GaN產(chǎn)生電子空穴對，該電場驅動電子、空穴分別向n型和p型電極兩端定向運動，有利于收集效率的提高和漏電流的減小，從而提高了中子探測器的靈敏度以及探測效率。

聲明：

“變摻雜變組分的AlGaNGaN中子探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)