一種n型摻雜ZnO薄膜的快速響應(yīng)紫外探測(cè)器的制作方法,屬于光電子信息領(lǐng)域,解決了ZnO光電導(dǎo)探測(cè)器響應(yīng)速度比較慢的問(wèn)題,它包括以下步驟:步驟一,用化學(xué)清洗方法將石英襯底清洗干凈;步驟二,在清洗干凈的石英襯底上生長(zhǎng)Ga摻雜的ZnO薄膜;步驟三,將生長(zhǎng)Ga摻雜的ZnO薄膜放入氧氣氛下退火;步驟四,在退火后的Ga摻雜的ZnO薄膜上蒸鍍兩個(gè)Al電極;其結(jié)構(gòu)自下而上依次是:石英襯底,Ga摻雜的ZnO薄膜、兩個(gè)Al電極。Ga摻雜的ZnO薄膜組分質(zhì)量比為Ga2O3∶ZnO=(0.5%~3%)∶(97%~99.5%)??捎糜诃h(huán)境保護(hù)、火焰探測(cè)、天文學(xué)觀測(cè)、生物醫(yī)學(xué)和醫(yī)療衛(wèi)生等領(lǐng)域。
聲明:
“n型摻雜ZnO薄膜的快速響應(yīng)紫外探測(cè)器的制作方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)