本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)量光子晶體孔洞側(cè)壁垂直度的方法,包括:在半絕緣砷化鎵襯底上,外延生長(zhǎng)一定厚度的AlGaAs犧牲層;在AlGaAs犧牲層上外延生長(zhǎng)一定厚度的砷化鎵;在砷化鎵層上外延生長(zhǎng)一定密度InAs量子點(diǎn);外延生長(zhǎng)一定厚度的砷化鎵,將InAs量子點(diǎn)埋住;在砷化鎵上采用等離子體化學(xué)氣相淀積法(PECVD)鍍上一層SiO2薄膜;在SiO2薄膜上懸涂一層電子束膠;采用電子束曝光法在電子束膠上制作光子晶體圖形;采用反應(yīng)離子刻蝕方法將電子束膠上的光子晶體圖形轉(zhuǎn)移至SiO2上,并去膠;采用掃描電鏡(SEM)對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試,觀測(cè)并計(jì)算光子晶體孔洞的垂直度。利用本發(fā)明,不用觀察光子晶體孔洞截面,只測(cè)試光子晶體表面,便可測(cè)試出光子晶體孔洞側(cè)壁垂直度。
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“測(cè)量光子晶體孔洞側(cè)壁垂直度的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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