本實(shí)用新型公開(kāi)一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)包括位于一具有多個(gè)有源區(qū)的半導(dǎo)體襯底上的第一測(cè)試結(jié)構(gòu)和多個(gè)第二測(cè)試結(jié)構(gòu)，由于第一測(cè)試結(jié)構(gòu)與有源區(qū)絕緣隔離，多個(gè)第二測(cè)試結(jié)構(gòu)分別與有源區(qū)電連接；第一測(cè)試結(jié)構(gòu)同一層的第一測(cè)試結(jié)構(gòu)的第一金屬互連線和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)的第二金屬互連線交叉排列。應(yīng)用時(shí)，分別向第一測(cè)試結(jié)構(gòu)和第二測(cè)試結(jié)構(gòu)通電并測(cè)試兩者之間的電容，確定半導(dǎo)體器件的金屬互連線之間是否存在電化學(xué)腐蝕，并對(duì)腐蝕的程度進(jìn)行評(píng)價(jià)，以及時(shí)發(fā)現(xiàn)電化學(xué)腐蝕現(xiàn)象，避免電化學(xué)腐蝕所帶來(lái)的影響，提高了產(chǎn)品的良率。