本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)量微量物質(zhì)的方法,屬于納米
半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。其工藝流程為:首先利用水熱法制備ZnO納米棒陣列樣品,然后利用化學(xué)氣相沉積法在ZnO納米棒表面生長(zhǎng)薄層MoS2材料,最終形成ZnO納米棒支撐的薄層MoS2材料,利用薄層MoS2的兩個(gè)拉曼振動(dòng)峰E12g和A1g的間距δ作為探測(cè)參數(shù),將待測(cè)微量物質(zhì)吸附在薄層MoS2材料上,利用拉曼光譜檢測(cè)δ,根據(jù)δ的變化就可以檢測(cè)待測(cè)物質(zhì)的含量。本發(fā)明具有制備工藝簡(jiǎn)單,反應(yīng)條件溫和,原料和設(shè)備的成本較低、檢測(cè)精度高等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“測(cè)量微量物質(zhì)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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