本發(fā)明公開了一種檢測(cè)圖形片硅研磨速率的方法,包括以下步驟:步驟一、測(cè)量并記錄圖形結(jié)構(gòu)片特定量測(cè)圖形不同位置的初始斷差;步驟二、選擇幾枚硅生長(zhǎng)厚度相當(dāng)?shù)膱D形片,用化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備對(duì)每一枚外延片以不同時(shí)間進(jìn)行研磨;步驟三、對(duì)每一枚用不同時(shí)間研磨的硅圖形結(jié)構(gòu)片在特定量測(cè)圖形位置的斷差后值進(jìn)行測(cè)量并記錄后值;步驟四、對(duì)每一枚硅圖形結(jié)構(gòu)片的斷差后值和不同的研磨時(shí)間作圖得出直線。此直線的斜率K即為在硅片任意位置處的研磨速率。本發(fā)明可以獲得可以準(zhǔn)確測(cè)定任何不同圖形片的硅研磨速率,快速有效。不同于切片對(duì)硅片的破壞性檢測(cè),對(duì)硅片的再利用率高。
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