本發(fā)明涉及用于富集和痕量檢測(cè)的超親水微井傳感界面及其制備方法。將潔凈的基片以恒定的速度于蠟燭火焰上方反復(fù)平移,在基片表面物理沉積得到一定厚度均勻分布的炭納米層,以此為模板化學(xué)氣相沉積二氧化硅,得到二氧化硅包覆炭顆粒的納米復(fù)合結(jié)構(gòu);高溫煅燒去除炭核,從而得到均勻的具有微米厚度的空心納米二氧化硅層;等離子體處理納米二氧化硅表面后,采用單分子膜自組裝法,在其表面修飾
硅烷化試劑;再覆蓋上圓形的光掩模板,采用光刻技術(shù)紫外光降解未覆蓋區(qū)域的硅烷化試劑,得到用于富集和痕量檢測(cè)的超親水微井傳感界面。本發(fā)明超親水微井利用其圖案化的定點(diǎn)限域可控的優(yōu)點(diǎn),對(duì)極稀溶液微液滴具有良好的濃縮富集效果,可用于目標(biāo)分子的實(shí)時(shí)痕量檢測(cè)。
聲明:
“用于富集和痕量檢測(cè)的超親水微井傳感界面及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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