本發(fā)明公開了一種具有InAlN背勢(shì)壘層的重金屬離子檢測(cè)傳感器,屬于半導(dǎo)體、化學(xué)傳感技術(shù)領(lǐng)域。所述重金屬離子檢測(cè)傳感器,包括:襯底材料上依次形成的成核層、緩沖層、InAlN背勢(shì)壘層、溝道層、勢(shì)壘層、鈍化層以及源極、漏極和柵極;本發(fā)明引入InAlN背勢(shì)壘結(jié)構(gòu)抬高了緩沖層勢(shì)壘,降低了器件的寄生效應(yīng)、抑制緩沖層漏電流,從而提高了傳感器檢測(cè)的可靠性;采用半胱氨酸溶液修飾柵極,半胱氨酸的羧基和氨基與重金屬離子結(jié)合成螯合物的能力較強(qiáng),提高了提高傳感器的靈敏度;且半胱氨酸材料無毒害、自組裝修飾效果好,修飾時(shí)間較短,操作簡(jiǎn)便,有效地改善檢測(cè)環(huán)境,降低了器件的生產(chǎn)成本。
聲明:
“具有InAlN背勢(shì)壘層的重金屬離子檢測(cè)傳感器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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