本發(fā)明提出一種檢測(cè)淺溝槽隔離缺陷的方法,包括下列步驟:在半導(dǎo)體基底上形成淺溝槽;在所述淺溝槽內(nèi)沉積墊氧化層;在所述墊氧化層上沉積界面層;在所述界面層上沉積二氧化硅氧化層;對(duì)上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測(cè),其中,在所述墊氧化層上沉積界面層的步驟采用原子層沉積方法。本發(fā)明提出的檢測(cè)淺溝槽隔離缺陷的方法,能夠有效檢測(cè)出淺溝槽隔離的缺陷,并縮短高密度等離子體化學(xué)氣相淀積填充淺溝槽的工藝調(diào)整周期。
聲明:
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