本發(fā)明涉及一種等離子體刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)方法，包含以下步驟：先制備金屬層上生長(zhǎng)一層SiN并帶有光刻膠窗口的樣品，再將樣品固定在離子刻蝕機(jī)的腔室內(nèi)，然后往離子刻蝕機(jī)的腔室內(nèi)通入反應(yīng)氣體CF4，接著打開離子刻蝕機(jī)腔室內(nèi)的上下射頻源，使氣體離化并在腔室內(nèi)磁場(chǎng)下運(yùn)動(dòng)，CF4氣體的F離子與SiN介質(zhì)層的Si離子形成Si?F化學(xué)基團(tuán)，最后利用Si?F化學(xué)基團(tuán)所發(fā)射波長(zhǎng)的光強(qiáng)變化，進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)；本發(fā)明由于SiN介質(zhì)層與金屬層存在很大差別的光波強(qiáng)度，利用Si?F化學(xué)基團(tuán)所發(fā)射波長(zhǎng)的光強(qiáng)變化，實(shí)現(xiàn)終點(diǎn)檢測(cè)，不僅可以準(zhǔn)確達(dá)到刻蝕形貌，提高元器件生產(chǎn)效率，還能提高等離子體刻蝕設(shè)備的壽命以及設(shè)備內(nèi)的腔室氛圍。