本發(fā)明涉及環(huán)境中汞離子檢測領(lǐng)域,具體是制備ZnO?CdS?GO復(fù)合物,應(yīng)用其構(gòu)建光
電化學(xué)傳感器,用于檢測汞離子。納米
復(fù)合材料ZnO?CdS?GO的制備方法及利用其構(gòu)建傳感器檢測汞離子的方法,本發(fā)明方法首先制備ZnO?CdS?GO復(fù)合物,然后利用ZnO?CdS?GO復(fù)合物構(gòu)建光電化學(xué)DNA傳感器對汞離子進(jìn)行檢測。此光電化學(xué)傳感器具有較高的靈敏度,并且檢測速度快,準(zhǔn)確率高,檢測汞離子有較好的專一性。
聲明:
“納米復(fù)合材料ZnO-CdS-GO的制備方法及利用其構(gòu)建傳感器檢測汞離子的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)