本申請(qǐng)涉及一種負(fù)極和包含該負(fù)極的
電化學(xué)裝置和電子裝置。所述負(fù)極包括集流體和位于所述集流體上的負(fù)極活性材料層,所述負(fù)極活性材料層包含負(fù)極活性材料顆粒,所述負(fù)極活性材料顆粒包含二次顆粒,所述負(fù)極活性材料層包含孔A,用壓汞法進(jìn)行測(cè)試時(shí),所述孔A的孔徑為59nm?73nm,且所述負(fù)極活性材料層的C004/C110值為6?20。使用本申請(qǐng)?zhí)峁┑呢?fù)極的電化學(xué)裝置具有較高的容量和提高的抗循環(huán)膨脹性能。
聲明:
“負(fù)極和包含該負(fù)極的電化學(xué)裝置和電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)