本發(fā)明公開了一種光電化學(xué)機(jī)械拋光裝置及材料高效去除調(diào)整方法，所述裝置包括底座、工作臺(tái)、水槽、龍門單元、拋光盤單元、工作主軸單元。本發(fā)明通過(guò)采用電化學(xué)工作站進(jìn)行晶片拋光過(guò)程中電壓施加與電流測(cè)量，調(diào)節(jié)監(jiān)控晶片的氧化速率并配合比例閥和氣缸，在工控機(jī)的控制下調(diào)節(jié)晶片的拋光壓力，構(gòu)成一個(gè)閉環(huán)控制系統(tǒng)，可以實(shí)現(xiàn)壓力的精準(zhǔn)調(diào)節(jié)以及晶片化學(xué)氧化速度與機(jī)械去除速度協(xié)調(diào)控制，能夠通過(guò)調(diào)節(jié)電場(chǎng)電壓實(shí)現(xiàn)晶片氧化速率最大，再調(diào)節(jié)加載壓力使機(jī)械去除速率與氧化速率匹配，進(jìn)而提高晶片的材料去除率，此外，本發(fā)明的裝置左右布置兩套工作主軸單元，能有效減小一套工作主軸單元帶來(lái)的傾覆力矩，進(jìn)而提高晶片表面質(zhì)量。