本發(fā)明公開了一種
電化學評價取向硅鋼氧化層的裝置及方法,包括電解池、設于電解池一側的磁鐵組、設于電解池上的飽和甘汞電極和鉑電極以及與電解池連接的電化學工作站;磁鐵組包括固定在電解池上的固定磁鐵和與固定磁鐵磁性連接的移動磁鐵,移動磁鐵設于電解池側面的出口上;參比電極設于磁鐵組與輔助電極之間;參比電極和輔助電極與電化學工作站連接。本發(fā)明的評價方法通過電化學測量取向硅鋼試樣的電位?時間曲線,計算出取向硅鋼氧化層各分層的溶解電量,實現(xiàn)了對取向硅鋼氧化層各分層的快速、準確測定,可以區(qū)分出Mg2SiO4玻璃膜底層、SiN層、SiO2層、FeO及鐵橄欖石層等分層性能,為取向硅鋼生產(chǎn)工藝參數(shù)的控制提供指導。
聲明:
“電化學評價取向硅鋼氧化層的裝置及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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