本發(fā)明提供的化學(xué)氣沉積設(shè)備的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)和進(jìn)氣方法的技術(shù)方案中,通過(guò)利用濃度檢測(cè)單元檢測(cè)進(jìn)氣管路上源氣體的當(dāng)前濃度值,并利用控制單元根據(jù)該當(dāng)前濃度值和目標(biāo)濃度值控制流量調(diào)節(jié)單元調(diào)節(jié)工藝氣體的流量值,可以調(diào)節(jié)反應(yīng)腔室中的工藝氣體的質(zhì)量,以使工藝氣體中的源氣體的質(zhì)量等于目標(biāo)質(zhì)量。這樣,可以實(shí)現(xiàn)在不同時(shí)刻制備襯底時(shí)反應(yīng)腔室中的工藝氣體中源氣體的質(zhì)量一致,從而保證反應(yīng)腔室中硅片生長(zhǎng)速率的一致性,提高硅片的厚度一致性,進(jìn)而提高產(chǎn)品良率。另外,本發(fā)明還提供了一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備。
聲明:
“化學(xué)氣相沉積設(shè)備的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)、進(jìn)氣方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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