一種基于復(fù)合半導(dǎo)體
納米材料的簡易型電致化學(xué)發(fā)光免疫傳感器的制備方法及應(yīng)用。本發(fā)明涉及電致化學(xué)發(fā)光免疫傳感器技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種以類石墨氮化碳和二硫化鉬納米復(fù)合物(g?C3N4/MoS2)為發(fā)光材料和基底材料的簡易型免疫傳感器的制備方法及應(yīng)用。將g?C3N4和MoS2兩種帶隙相近的半導(dǎo)體納米材料復(fù)合可以有效提高傳感器的發(fā)光強度、增強穩(wěn)定性?;诳乖贵w之間的特異性結(jié)合,該傳感器用于檢測甲胎蛋白,根據(jù)不同濃度的甲胎蛋白對電子傳遞阻礙程度不同,繼而使得傳感器電致化學(xué)發(fā)光強度不同,實現(xiàn)甲胎蛋白的檢測。
聲明:
“基于復(fù)合半導(dǎo)體納米材料的簡易型電致化學(xué)發(fā)光免疫傳感器的制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)