本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械研磨方法,該方法包括以下步驟:提供多個(gè)具有相似或相同圖形的硅片,這些硅片均具有硅襯底和位于該硅襯底之上的待研磨層,使用化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備將待研磨層研磨至目標(biāo)位置,再進(jìn)行一定時(shí)間Top的過(guò)研磨,其中,使用終點(diǎn)檢測(cè)裝置來(lái)監(jiān)測(cè)研磨終點(diǎn)及監(jiān)測(cè)到該終點(diǎn)后發(fā)出開(kāi)始所述過(guò)研磨的指示,并由該終點(diǎn)檢測(cè)裝置測(cè)得硅片被正常研磨時(shí)抵達(dá)所述終點(diǎn)所經(jīng)歷的平均研磨時(shí)間T1,其中,該方法還包括:當(dāng)多個(gè)硅片中的一個(gè)硅片被研磨至終點(diǎn)時(shí)所經(jīng)歷的實(shí)際研磨時(shí)間T小于T1的70%-85%時(shí),將該硅片的過(guò)研磨時(shí)間Top延長(zhǎng)至Top+(T1-T)。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械研磨方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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