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識(shí)別天冬氨酸光學(xué)異構(gòu)體的電化學(xué)方法

835   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:56:02
本發(fā)明涉及電化學(xué)分析測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種通過(guò)溶膠法印跡天冬氨酸光學(xué)異構(gòu)體(如L-Asp)、銅離子和N-芐氧羰基(CBZ)-L-天冬氨酸(L-Asp)三元絡(luò)合物的方法,將該溶膠修飾于電極,通過(guò)在電極上構(gòu)筑具有L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp空間結(jié)構(gòu),由于N-CBZ-L-Asp上苯環(huán)與D-Asp上羧基的空間位阻,在水溶液中L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元絡(luò)合物的穩(wěn)定性大于D-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元絡(luò)合物,印跡電極在溶液中對(duì)L-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp三元絡(luò)合物的吸附量遠(yuǎn)大于對(duì)D-Asp-Cu2+-N-CBZ-L-Asp,進(jìn)而導(dǎo)致印跡電極中銅離子的濃度不同,以銅離子為探針,通過(guò)銅離子的還原電流的測(cè)量,實(shí)現(xiàn)對(duì)天冬氨酸光學(xué)異構(gòu)體的選擇性識(shí)別。
聲明:
“識(shí)別天冬氨酸光學(xué)異構(gòu)體的電化學(xué)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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