2S3的光電化學(xué)傳感器及其制備與應(yīng)用,化學(xué)分析"> 2S3的光電化學(xué)傳感器及其制備與應(yīng)用,本發(fā)明涉及一種基于NSCQDs/Bi2S3的光電化學(xué)傳感器及其制備與應(yīng)用,以Bi2S3納米棒為光活性材料,通過PDDA靜電吸附水熱法合成的NSCQDs;然后通過EDC和NHS活化NSCQDs表面的羧基,通過酰胺化反應(yīng),將Ab修飾在電極表面。在存在AFP的條件在,通過抗原抗體識別,在電極表面會形成Ab?AFP免疫復(fù)合物,使得電極表面的空間位阻變大,阻礙了電子犧牲劑抗壞血酸(AA)向電極表面的傳遞,導(dǎo)致傳感器光電流信號的變化。根據(jù)AFP濃度與傳感器光電流之間的">
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