本發(fā)明提供了一種化學(xué)機(jī)械拋光中光譜終點(diǎn)的檢測(cè)方法、裝置及系統(tǒng)，包括：根據(jù)晶圓表面被拋薄膜的光譜檢測(cè)數(shù)據(jù)，確定被拋薄膜的平滑的光譜檢測(cè)數(shù)據(jù)；根據(jù)平滑的光譜檢測(cè)數(shù)據(jù)中關(guān)聯(lián)的反射率數(shù)據(jù)與檢測(cè)波長(zhǎng)數(shù)據(jù)，確定平滑的光譜檢測(cè)數(shù)據(jù)中的極值點(diǎn)及每個(gè)極值點(diǎn)對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)值；根據(jù)至少兩個(gè)相鄰極值點(diǎn)的波長(zhǎng)值以及被拋薄膜的光學(xué)折射率，確定被拋薄膜的剩余厚度；在檢測(cè)到被拋薄膜的厚度達(dá)到設(shè)定厚度閾值時(shí)，確定該被拋薄膜的厚度為拋光終點(diǎn)，以使化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備在拋光終點(diǎn)停止拋光；其通過計(jì)算晶圓表面被拋薄膜的剩余厚度，確定該被拋薄膜的厚度為拋光終點(diǎn)，提高了光譜終點(diǎn)的檢測(cè)精確度，且提高了化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備的工作效率。