本發(fā)明公開了一種鋯鈦酸鉛鐵電薄膜光電極及其制備方法,所述光電極包括導(dǎo)電基底、鋯鈦酸鉛薄膜以及二者之間的金膜,該電極在1.0V(vs.Ag/AgCl)的電壓條件下光電流密度可達200μA/cm
2。其制備方法為:將基底清洗后蒸鍍金膜,在金膜上旋涂鋯鈦酸鉛膜,經(jīng)退火、煅燒和封裝即得所述電極,制備工藝簡單,成本低,所得的薄膜均勻性好,具有良好的可見光吸收性能,且穩(wěn)定性和光電轉(zhuǎn)換效率較之前的工藝也有明顯提高。
聲明:
“一種鋯鈦酸鉛鐵電薄膜光電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)