本發(fā)明提供了一種基于機(jī)器學(xué)習(xí)的錫基鈣鈦礦薄膜晶體管優(yōu)化方法及其裝置，可以應(yīng)用于人工智能以及光電材料技術(shù)領(lǐng)域。該基于機(jī)器學(xué)習(xí)的錫基鈣鈦礦薄膜晶體管優(yōu)化方法包括：根據(jù)確定的錫基鈣鈦礦薄膜晶體管的工藝設(shè)計(jì)參數(shù)，確定初始候選點(diǎn)；對(duì)初始候選點(diǎn)進(jìn)行聚類，得到N個(gè)聚類中心；根據(jù)N個(gè)聚類中心，篩選距離每個(gè)聚類中心由遠(yuǎn)到近的M個(gè)候選點(diǎn)，作為目標(biāo)候選點(diǎn)；獲取基于目標(biāo)候選點(diǎn)制備錫基鈣鈦礦薄膜晶體管后得到的初始數(shù)據(jù)集，其中，初始數(shù)據(jù)集包括目標(biāo)候選工藝設(shè)計(jì)空間內(nèi)的設(shè)計(jì)參數(shù)值以及設(shè)計(jì)參數(shù)值對(duì)應(yīng)的器件性能標(biāo)簽；以及在確定器件性能標(biāo)簽滿足預(yù)設(shè)性能的情況下，確定目標(biāo)設(shè)計(jì)參數(shù)值，用于制備得到優(yōu)化后的錫基鈣鈦礦薄膜晶體管。