本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種TSV孔內(nèi)介質(zhì)層的電學(xué)性能檢測方法。包括:將沉積有介質(zhì)層的TSV晶圓正向放置在真空環(huán)境中,晶圓上的TSV孔的開口朝上。在TSV孔內(nèi)注入去離子水,并測量去離子水的流量;檢測TSV孔內(nèi)的液面高度,當(dāng)去離子水注滿TSV孔時,停止注入去離子水,記錄去離子水的總流量。對晶圓進行干燥,除去TSV孔內(nèi)的去離子水;將晶圓反向放置,TSV孔的開口朝下。在TSV孔內(nèi)注入汞,并測量汞的流量,控制汞的總流量小于記錄的去離子水的總流量;采用汞探針C-V測試儀對TSV孔進行電學(xué)性能檢測。本發(fā)明提供的TSV孔內(nèi)介質(zhì)層的電學(xué)性能檢測方法,能夠方便地對TSV孔進行電學(xué)性能檢測。
聲明:
“一種TSV孔內(nèi)介質(zhì)層的電學(xué)性能檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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