本公開總體上涉及用于在半導(dǎo)體晶片的制造期間形成的廢氣的燃燒消減的系統(tǒng)和方法。特別地,本文描述的系統(tǒng)能夠以比現(xiàn)有的消減系統(tǒng)更高的效率和更低的能量使用燃燒污染空氣的全氟化碳,包括具有高溫室氣體指數(shù)的全氟化碳,例如六氟乙烷(C
2F
6)和四氟甲烷(CF
4),以及形成顆粒物的二氧化硅前體,例如
硅烷(SiH
4)和四乙氧基硅烷(Si(OC
2H
5)
4,縮寫為TEOS)。更具體地,并且在一個優(yōu)選實施方案中,本公開針對于一種廢氣消減系統(tǒng),其利用不可燃和可燃?xì)怏w(或氣體混合物)的組合進行熱燃燒,所述氣體被引導(dǎo)通過反應(yīng)室的多個可滲透內(nèi)表面,從而有效地燃燒廢氣并防止固體顆粒物質(zhì)在腔室表面上的不希望的積聚。
聲明:
“用于改善廢氣消減的系統(tǒng)和方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)