本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體激光器
芯片及其制造方法,其中一種半導(dǎo)體激光器芯片包括:自下而上依次為N面散熱結(jié)構(gòu)、N面電極、N區(qū)外延層、有源區(qū)、P區(qū)外延層、P面電極和P面散熱結(jié)構(gòu),所述N面電極通過生長襯底的轉(zhuǎn)換方式形成。本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器芯片制造方法過程中,生長襯底能夠重復(fù)利用,降低生產(chǎn)成本,其中生長襯底的As不會帶入半導(dǎo)體激光器制備的后續(xù)工藝流程,降低工業(yè)廢水的污染治理成本;避免了可能導(dǎo)致機(jī)械損傷的研磨過程,進(jìn)而提高了半導(dǎo)體激光器的質(zhì)量可靠性,使得其具有明顯的技術(shù)先進(jìn)性和良好的經(jīng)濟(jì)效益。
聲明:
“半導(dǎo)體激光器芯片及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)