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可裁剪的雙面納米帶電極陣列集成傳感器及制備方法

969   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 02:44:46
本發(fā)明公開了一種可裁剪雙面納米帶電極陣列集成傳感器及其制備方法。選用硅片或玻璃作基底,采用MEMS技術(shù)將兩種不同的電極材料沉積在基底的正反兩個(gè)平面上,以光刻技術(shù)形成上下面對(duì)稱的梳狀工作電極和參考電極陣列,采用PECVD方法在兩側(cè)分別沉積有氮化硅絕緣層,光刻露出焊盤,在兩面絕緣層上刻制與電極方向垂直的多條切割線。傳感器定期裁剪拋光,多次使用延長器件壽命,提高并保持電極的一致和穩(wěn)定性。傳感器固定在TEFLON腔體內(nèi),采用差分脈沖陽極溶出伏安法,采集被測溶液的阻抗以及氧化還原電流信號(hào)。本發(fā)明可在江河湖海、生物醫(yī)學(xué)、工業(yè)廢水廢氣等領(lǐng)域中直接對(duì)溶液中的陰陽離子濃度進(jìn)行定量檢測,進(jìn)行表面修飾后可對(duì)生物分子進(jìn)行定性檢測。
聲明:
“可裁剪的雙面納米帶電極陣列集成傳感器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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