本發(fā)明公開了一種Ag量子點(diǎn)修飾的高熵氧化物Ag?(CoMgNiZnCu)O光催化劑的制備方法,是基于(CoMgNiZnCu)O高熵納米粒子表面上沉積Ag量子點(diǎn)的制備方法,利用原位光還原法制備Ag?(CoMgNiZnCu)O異質(zhì)結(jié),由于(CoMgNiZnCu)O高熵納米粒子具有相對(duì)較低的空穴遷移率,導(dǎo)致電子空穴復(fù)合幾率明顯增加,從而降低了材料的催化效率,為此在其表面上沉積Ag量子點(diǎn)可以增大比表面積,有利于電子空穴對(duì)的分離,從而有效提升有機(jī)污染物羅丹明B的降解效率,其降解率可高達(dá)98.6%。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了可見光?電?化學(xué)催化之間的高效轉(zhuǎn)換,在有機(jī)廢水處理領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景,且制備工藝簡(jiǎn)單,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
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“Ag量子點(diǎn)修飾的高熵氧化物光催化劑制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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