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自摻雜改性的高電導(dǎo)性TiO2納米管陣列制備方法

861   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:59:38
本發(fā)明提供了一種自摻雜改性的高電導(dǎo)性TiO2納米管陣列的制備方法,其步驟包括:在含氟電解液中,利用兩電極體系在鈦片上生長TiO2納米管,然后在400~700℃下于空氣氛圍內(nèi)煅燒;將煅燒后的TiO2納米管陣列在負(fù)電位下、惰性電解液中恒電位極化一定時(shí)間,得到自摻雜(Ti3+摻雜)改性的高電導(dǎo)性TiO2納米管陣列。本發(fā)明工藝簡單,易于控制摻雜的量,能夠極大地提高TiO2納米管的導(dǎo)電性,從而使制得的自摻雜改性TiO2納米管陣列不僅可以用于環(huán)境治理、光電轉(zhuǎn)換、催化制氫等領(lǐng)域,還可以用于超級(jí)電容器、鋰離子電池等能量儲(chǔ)存領(lǐng)域。
聲明:
“自摻雜改性的高電導(dǎo)性TiO2納米管陣列制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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