通過在硅片上首先生長(zhǎng)中間張力減輕層可以生長(zhǎng)覆蓋硅片的結(jié)晶壓電材料如鈮酸鋰和鉭酸鋰的外延層。在壓電層生長(zhǎng)之前,張力減輕層是結(jié)晶的金屬氧化物,幫助橋接硅和壓電材料之間的晶格失配。在薄結(jié)晶壓電層生長(zhǎng)之后,非晶化張力減輕層以去耦硅和壓電晶格。然后可以重新開始?jí)弘妼拥纳L(zhǎng),以獲得適合于電-聲器件制造的優(yōu)質(zhì)厚層?？梢允褂猛庋拥膲弘妼又圃鞜o源和有源電-聲器件。具體地,設(shè)計(jì)和制造利用硅和壓電外延覆蓋層的聲音電荷傳送器件。電-聲器件可以與在硅片上制造的半導(dǎo)體器件電路集成。