本發(fā)明涉及一種非極性氮化鎵(GaN)薄膜的生長(zhǎng)方法,其利用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(MOCVD)系統(tǒng)在鋁酸鋰(LiAlO2)襯底上合成生長(zhǎng)GaN薄膜,其中,在生長(zhǎng)GaN薄膜之前,首先在鋁酸鋰襯底背面背鍍二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4),一方面起應(yīng)力平衡的作用,另一方面可以阻止襯底的分解,如Li的揮發(fā)等。
聲明:
“非極性GAN薄膜的生長(zhǎng)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)