一種自旋光電子器件，包括襯底層，所述襯底層采用藍(lán)寶石基GaN材料，在所述襯底層上依次生長有P型緩沖層、阻擋層、第一勢(shì)壘層、浸潤層、量子點(diǎn)層、間隔層、量子阱層、第二勢(shì)壘層、n型接觸層和電極層，所述n型接觸層與所述電極層形成自旋閥注入結(jié)構(gòu)，所述電極層包括依次生長的鑭系稀土錳氧化物、氘代MEH?PPV聚合物、氟化鋰電子注入層、惰性金屬保護(hù)層、上電極材料層。本實(shí)用新型所述的氘代MEH?PPV聚合物半導(dǎo)體材料具有更弱的超精細(xì)作用，從而更利于自旋在材料內(nèi)部的傳輸；在陰極一側(cè)插氟化鋰電子注入層則有利于實(shí)現(xiàn)器件的雙極注入，因此，這種自旋閥結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光二極管具有更低的驅(qū)動(dòng)電壓和更長的自旋傳輸距離。