本申請?zhí)峁┝艘环Nd33模式鐵電單晶薄膜壓電振動傳感器及其制備方法,通過將鈮酸鋰與帶有氧化層的硅基底鍵合,再依次進(jìn)行減薄、化學(xué)機械拋光和清洗,得到鈮酸鋰單晶薄膜;在鈮酸鋰鐵電單晶薄膜表面利用濺射刻蝕法制備對準(zhǔn)標(biāo)記,在其表面采用濺射剝離法制備表面電極,并刻蝕鈮酸鋰單晶薄膜使其圖形化,最后在硅基底正面形成質(zhì)量塊和懸臂,并從硅基背面對其進(jìn)行釋放制得產(chǎn)物。本申請的制備方法可將鐵電單晶鈮酸鋰薄膜與帶氧化層的硅基很好鍵合,并完成了寬頻帶、高電壓輸出的元器件的制備,工藝可行性和重復(fù)率高。本申請制得產(chǎn)物具有很高的機電轉(zhuǎn)換效率、輸出電壓和低溫環(huán)境輸出性能下降小的特點。
聲明:
“d33模式鐵電單晶薄膜壓電振動傳感器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)