本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體襯底的制備方法,包括:提供鋁酸鋰晶片,使用濺射法在所述鋁酸鋰晶片上沉積AlN膜層得到半導(dǎo)體襯底。本發(fā)明以鋁酸鋰晶體作為基底,然后在上面采用濺射法沉積AlN膜層制成半導(dǎo)體襯底,由于鋁酸鋰與GaN的晶格失配度小,作為GaN晶體生長的襯底時(shí),易于制備GaN外延薄膜,并減少由應(yīng)力引起的高缺陷密度。當(dāng)在鋁酸鋰晶片上沉積與GaN晶體結(jié)構(gòu)相同、晶格常數(shù)相近的AlN膜層時(shí),可以解決由于鋁酸鋰晶體和GaN之間的熱膨脹差異而導(dǎo)致的GaN外延片開裂的問題。而且,AlN作為緩沖層還可以阻止鋁酸鋰襯底中Li的揮發(fā),并保護(hù)鋁酸鋰襯底不受酸性或還原性氣氛的腐蝕。