本申請(qǐng)屬于光電技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種n?i結(jié)構(gòu)
鈣鈦礦基X光探測(cè)器及其制備方法。其中,n?i結(jié)構(gòu)鈣鈦礦基X光探測(cè)器包括疊層貼合設(shè)置的n型鈣鈦礦功能層和i型鈣鈦礦活性層;所述n型鈣鈦礦功能層中包含APbBr3鈣鈦礦材料,所述i型鈣鈦礦活性層中包含A’PbI3鈣鈦礦材料,其中,A和A’分別獨(dú)立的選自堿金屬離子或者有機(jī)銨離子。本申請(qǐng)?zhí)峁┑膎?i結(jié)構(gòu)鈣鈦礦基X光探測(cè)器,器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高靈敏度、低檢測(cè)限及較低的暗電流。
聲明:
“n-i結(jié)構(gòu)鈣鈦礦基X光探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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