本發(fā)明涉及一種富含Si₃N₄納米線的SiHfBCN陶瓷及制備方法，采用先驅(qū)體共混法將聚硼硅氮烷(PBSZ)和聚鉿氧烷(PHO)按照一定體積比例混合，加入一定含量的鎳系催化劑的飽和乙醇溶液，然后經(jīng)固化、裂解和高溫?zé)崽幚淼玫礁缓琒i₃N₄納米線的SiHfBCN陶瓷。Si₃N₄納米線的直徑小于50nm，長(zhǎng)度在10μm?200μm之間。Si₃N₄晶體的析出使SiHfBCN陶瓷對(duì)電磁波的響應(yīng)從吸收或反射變?yōu)槠高^。鉿元素的存在使Si₃N₄納米線在1600℃依舊穩(wěn)定存在，同時(shí)由于非晶相富含鉿元素，因而此方法制備的SiHfBCN陶瓷也具有優(yōu)異的抗燒蝕性能。本發(fā)明能夠適用于復(fù)合材料，可用作涂層或基體，充當(dāng)電磁波阻抗匹配層，同時(shí)可有效提高其在超高溫環(huán)境下的抗燒蝕能力。