3O4@C的制備方法及應(yīng)用,復(fù)合材料"> 3O4@C的制備方法及應(yīng)用,本發(fā)明屬于環(huán)境材料合成技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種去除特定目標(biāo)物的印跡SiW@PANI@Fe3O4@C的制備方法;具體步驟為:以玉米秸稈轉(zhuǎn)化的C作為載體,并進(jìn)行表面改性,通過(guò)溶劑熱法在酸活化的C的表面負(fù)載Fe3O4制備了Fe3O4@C,合成PANI并摻雜SiW制備SiW@PANI;利用表面印跡技術(shù),以環(huán)丙沙星為模板分子,SiW@PANI為功能單體,制備了印跡SiW@PANI@Fe3O4@C;本發(fā)明構(gòu)建了既具有較高光催化活性,又具有較好選擇性,同時(shí)具有良好磁分離特">
位置:中冶有色 >
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