本發(fā)明涉及一種基于地電極局部涂覆的GIL絕緣子表面電荷抑制方法,在地電極內(nèi)部涂覆低電導(dǎo)率涂層有助于抑制畸變的電場(chǎng),從而抑制非平面區(qū)的電荷積聚,同時(shí),工藝簡(jiǎn)單,適用于大面積涂覆,且涂層
復(fù)合材料價(jià)格便宜,有利于大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“基于地電極局部涂覆的GIL絕緣子表面電荷抑制方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)