本發(fā)明涉及一種低溫SiC纖維表面石墨界面的制備方法，屬于核燃料包殼管制備領(lǐng)域。本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有制備SiC_f/SiC復(fù)合材料采用的PyC界面在高劑量中子輻照后，界面發(fā)生退化，界面處產(chǎn)生裂縫，導(dǎo)致材料力學(xué)性能和導(dǎo)熱性能降低等問(wèn)題，提供一種低溫SiC纖維表面石墨界面的制備方法；該方法首先在SiC纖維預(yù)制體表面沉積PyC界面，然后通過(guò)強(qiáng)磁場(chǎng)及加熱實(shí)現(xiàn)PyC界面的石墨化，在維持SiC纖維原有力學(xué)性能的同時(shí)提高SiC_f/SiC復(fù)合材料的高溫抗中子輻照能力。本發(fā)明利用強(qiáng)磁場(chǎng)輔助加熱使PyC界面石墨化，降低石墨化溫度，可避免高溫加熱對(duì)SiC纖維的損傷，防止SiC纖維晶粒長(zhǎng)大，保持SiC纖維力學(xué)強(qiáng)度，也會(huì)保證SiC_f/SiC復(fù)合材料的力學(xué)性能。