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高能微點(diǎn)火芯片及其制備方法和使用方法

660   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 16:55:15
本發(fā)明公開了一種高能微點(diǎn)火芯片及其制備方法和使用方法,它是將納米金屬和納米金屬氧化物先MIC材料,并將炸藥原料制成超細(xì)炸藥顆粒,再將MIC材料和超細(xì)炸藥顆粒制成MIC-炸藥復(fù)合材料,最后用三維打印機(jī)把MIC-炸藥復(fù)合材料集成到SiO2/Cr/Pt/Au微加熱器上得到的,使用時(shí)在高能微點(diǎn)火芯片上的SiO2/Cr/Pt/Au微加熱器兩端通5-50V電點(diǎn)火即可。采用本發(fā)明的制備方法,可以通過調(diào)節(jié)炸藥的使用量來控制反應(yīng)速度,最終獲得多種不同點(diǎn)火能量的高能微點(diǎn)火芯片,MIC-炸藥復(fù)合物燃燒效果好,所組成的微點(diǎn)火芯片點(diǎn)火的火焰溫度更高、火焰面積更大,從而獲得的微點(diǎn)火芯片點(diǎn)火穩(wěn)定性和成功率高。
聲明:
“高能微點(diǎn)火芯片及其制備方法和使用方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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