本發(fā)明涉及一種高純度、高密度、高產率的一維孔性(Zn,Cd)S/SiO2管狀納米復合材料及其制備方法,屬于材料制備技術領域。本發(fā)明采用熱蒸發(fā)法在鍍有金膜的硅片上生長制備一維孔性(Zn,Cd)S/SiO2管狀納米結構。制備包括以下步驟:(1)將一定Zn∶Cd比的ZnS與CdS混合粉末原料盛于陶瓷舟中,放置于管式爐高溫恒溫區(qū);(2)混合粉末在一定流量的氮氣保護下在管式爐中高溫升華、蒸發(fā);(3)混合蒸汽在氮氣帶動下在氣流下方的鍍有金膜的硅片上沉積生長,得到所述納米結構。所述方法合成工藝和設備簡單,工藝參數(shù)可控性強,成本低廉,所得(Zn,Cd)S/SiO2管狀納米結構產量大、密度高、純度高。所合成的一維孔性納米結構在氣敏性元器件、儲氫材料、非線性光學材料以及太陽能電池等方面有廣泛的應用前景。