本發(fā)明公開(kāi)了高可靠功率混合集成電路的集成方法,該方法包括:(1)首先將原始厚膜基片通過(guò)超聲清洗干凈、并烘干;(2)在高真空磁控濺射臺(tái)內(nèi)在陶瓷基片的背面用高真空濺射方法一次性形成Cu-Ni-Cr-Au多層復(fù)合薄膜;(3)在以上基礎(chǔ)上,有選擇性地再濺射一層Cu-Ni-Cr-Au復(fù)合薄膜,使其在選定的區(qū)域形成多層金屬薄膜溝狀網(wǎng);(4)之后在高溫下進(jìn)行退火,得到厚膜基片;(5)將厚膜基片組裝到管殼底座上,再組裝半導(dǎo)體
芯片和其他分立元器件,用硅-鋁絲鍵合完成電路連接,封帽,即制成高可靠功率混合集成電路。采用本方法的集成電路具有很好的焊接系統(tǒng)致密性、附著力、熱傳導(dǎo)性,散熱快速,保證電路的可靠性。廣泛應(yīng)用于航天、航空、船舶、精密儀器、地質(zhì)勘探、石油勘探、通訊等領(lǐng)域。
聲明:
“高可靠功率混合集成電路的集成方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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