本發(fā)明屬于光催化材料領域，具體涉及一種三氧化二鋁超薄膜鈍化二氧化鈦納米棒陣列復合材料，該復合材料由厚度為5?30nm的三氧化二鋁薄膜均勻包覆直徑為50?80nm、長度為500?800nm的二氧化鈦納米棒陣列組裝而成。本發(fā)明的有益效果是：1、本發(fā)明采用原子層沉積的方法在二氧化鈦納米棒陣列表面均勻包覆三氧化二鋁薄膜，制備路線簡單，而且制備過程精確可控。2、本發(fā)明中三氧化二鋁薄膜用于鈍化二氧化鈦納米棒陣列，三氧化二鋁薄膜中負的固定電荷可以對二氧化鈦納米棒陣列表面進行場效應鈍化，降低二氧化鈦表面缺陷密度，降低電子在二氧化鈦納米棒陣列中傳輸發(fā)生電子?空穴對復合的幾率。