本發(fā)明公開了一種三維高分辨電阻率勘探及直接成像方法,主要內(nèi)容是用單極-偶極裝置在全測(cè)區(qū)形成相互交錯(cuò)的正交觀測(cè)系統(tǒng);應(yīng)用該三維高分辨電阻率勘探及直接成像方法可以克服現(xiàn)有二維高分辨電阻率勘探方法由于旁側(cè)效應(yīng)引起的洞道定位不準(zhǔn),和洞道形狀不確定的問題。較一般的三維高密度電阻率勘探對(duì)地下洞道的敏感性高,真正實(shí)現(xiàn)了對(duì)地下分析分辨單元的多次覆蓋測(cè)量,因而具有較強(qiáng)的抗干擾和剔除靜態(tài)偏移的能力,易于實(shí)現(xiàn)測(cè)區(qū)的滾動(dòng)測(cè)量和無縫銜接。三維直接成像方法快速、有效,無不易收斂的問題。該方法可以獲得更精確的地下洞道的位置、大小和形狀的信息,對(duì)于研究淺層精細(xì)地質(zhì)結(jié)構(gòu)有重要意義。
聲明:
“三維高分辨電阻率勘探及直接成像方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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