本發(fā)明公開了一種鎳摻雜鈦酸鉛單晶薄膜及其制備和應用。該薄膜為表面光滑平整的鎳摻雜鈦酸鉛單晶薄膜,其具有平整的界面,厚度為200nm~3000nm。本發(fā)明是以鈦酸四正丁酯、硝酸鉛、六水合硝酸鎳為主要原料,以氫氧化鉀為礦化劑,引入共沉淀法,并以摻鈮的鈦酸鍶為基板,在200~220℃下進行水熱反應,制備得到鎳摻雜鈦酸鉛單晶薄膜。本發(fā)明制得的表面平整光滑的大面積異質外延薄膜,在鐵電存儲器、熱釋電傳感器、光波導、光探測和電光開關等領域具有廣泛的潛在應用前景。本發(fā)明方法的工藝過程簡單,易于控制,成本低,易于規(guī)?;a(chǎn)。
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“鎳摻雜鈦酸鉛單晶薄膜及其制備和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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