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基于薄膜晶體管結(jié)構的光電編程多態(tài)存儲器及其制備方法

1007 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-02 00:30:11

本發(fā)明屬于半導體存儲器技術領域，具體為一種基于薄膜晶體管結(jié)構的光電編程多態(tài)存儲器及其制備方法。本發(fā)明通過在浮柵薄膜晶體管俘獲層中引入多種鈣鈦礦量子點，實現(xiàn)在光電編程條件下的多態(tài)存儲器。制備方法包括：將導電襯底放入原子層沉積反應腔中，控制沉積腔溫度；低溫原子層沉積制備氧化鋁阻擋層；溶液法制備鈣鈦礦量子點,并均勻旋涂于阻擋層上；低溫原子層沉積制備氧化鋁隧穿層；磁控濺射生長IGZO溝道層，并光刻形成溝道圖形；第二次光刻，電子束蒸發(fā)Ti/Au源漏電極，得到光電可編程的多態(tài)存儲器。本發(fā)明可實現(xiàn)在電壓編程過程中通過改變波長光照實現(xiàn)存儲器的多態(tài)存儲行為。本發(fā)明為多態(tài)存儲、光電探測、柔性電子等領域的研究開發(fā)提供了解決思路。

聲明：

“基于薄膜晶體管結(jié)構的光電編程多態(tài)存儲器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)