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含鉍氮化合物的半導體材料和制備方法及全波段光電器件

982 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-02 00:30:11

本發(fā)明涉及含鉍氮化合物的半導體材料和制備方法及全波段光電器件，含鉍氮化合物的半導體材料組成通式為InN_1?xBi_x，其中，0<x≤20％，薄膜材料能帶覆蓋0～0.7電子伏特；所述InN_1?xBi_x材料具有閃鋅礦結構或纖鋅礦結構；含有所述的含鉍氮化合物的半導體材料的薄膜材料、量子阱、量子點、超晶格、納米線或異質結材料；所述InN_1?xBi_x材料或者異質結材料能夠實現(xiàn)氮化物家族從紫外到太赫茲波段的全波段覆蓋，制備中紅外到太赫茲全波段激光器、探測器等光電器件；本發(fā)明的InN_1?xBi_x材料可采用常規(guī)分子束外延、金屬有機物化學氣相沉積等多種方法進行生長。

聲明：

“含鉍氮化合物的半導體材料和制備方法及全波段光電器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)